Hersteller Produktnummer:
SI4108DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4108DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12914377
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SI4108DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2100 pF @ 38 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4108
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT6010LSS-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5713
TEILNUMMER
DMT6010LSS-13-DG
Einheitspreis
0.46
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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