Hersteller Produktnummer:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHF30N60E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Inventar:
2979 Stück Neu Original Auf Lager
12786617
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SIHF30N60E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHF30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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