Hersteller Produktnummer:
SUM90N10-8M2P-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUM90N10-8M2P-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
5540 Stück Neu Original Auf Lager
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SUM90N10-8M2P-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6290 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SUM90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
SUM90N108M2PE3
SUM90N10-8M2P-E3CT
SUM90N10-8M2P-E3DKR
SUM90N10-8M2P-E3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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