Hersteller Produktnummer:
DMJ70H900HJ3
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMJ70H900HJ3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12888530
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Menge
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DMJ70H900HJ3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
603 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
DMJ70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU7N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
STU7N60M2-DG
Einheitspreis
0.49
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPSA70R900P7SAKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4
TEILNUMMER
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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