Hersteller Produktnummer:
HBDM60V600W-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
HBDM60V600W-7-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
12888560
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HBDM60V600W-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA, 600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
65V, 60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
HBDM60V600
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMDT2227-TP
HERSTELLER
Micro Commercial Co
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MMDT2227-TP-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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