Hersteller Produktnummer:
FDP100N10
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDP100N10-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
2970 Stück Neu Original Auf Lager
12947141
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDP100N10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
159
Andere Namen
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF6641TRPBF
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150