Hersteller Produktnummer:
630AT
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
630AT-DG
Beschreibung:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
87 Stück Neu Original Auf Lager
13001168
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630AT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
509 pF @ 25 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
3141-630AT
4822-630AT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
630AT
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
87
TEILNUMMER
630AT-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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