Hersteller Produktnummer:
SPW11N80C3FKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPW11N80C3FKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
2520 Stück Neu Original Auf Lager
12807578
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SPW11N80C3FKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 680µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-1
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SPW11N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SPW11N80C3
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3IN-DG
SPW11N80C3XTIN-DG
SPW11N80C3IN-NDR
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XK
SP000013703
SPW11N80C3FKSA1-DG
448-SPW11N80C3FKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW80R360P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
47
TEILNUMMER
IPW80R360P7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.29
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Teilenummer
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0
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IXFR20N80P-DG
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90
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APT11N80BC3G-DG
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0
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STW13NK60Z-DG
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STW13N80K5
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STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STW13N80K5-DG
Einheitspreis
2.04
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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