Hersteller Produktnummer:
IXFR20N80P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFR20N80P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 166W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12914976
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Menge
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IXFR20N80P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
166W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPW11N80C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2520
TEILNUMMER
SPW11N80C3FKSA1-DG
Einheitspreis
1.49
ERSATZART
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