Hersteller Produktnummer:
IXTC200N10T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTC200N10T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
12822257
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
ce63
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTC200N10T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
TrenchMV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS220™
Paket / Koffer
ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer
IXTC200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP120NF10
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
18341
TEILNUMMER
STP120NF10-DG
Einheitspreis
2.05
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
IXTH72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO247
