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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXTP5N60P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP5N60P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12818951
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EINREICHEN
IXTP5N60P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
PolarHV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP5
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXTP5N60P
HTML-Datenblatt
IXTP5N60P-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU5N62K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
STU5N62K3-DG
Einheitspreis
0.70
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