Hersteller Produktnummer:
FQP8N80C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP8N80C-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12851378
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FQP8N80C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
178W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FQP8N80C-DG
FQP8N80CFS
2156-FQP8N80C-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP08N80C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1997
TEILNUMMER
SPP08N80C3XKSA1-DG
Einheitspreis
1.00
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