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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXTY8N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTY8N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
20 Stück Neu Original Auf Lager
12908474
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IXTY8N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs
Building, Home Automation Appl Guide
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
-1402-IXTY8N65X2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD12N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
4977
TEILNUMMER
STD12N60M2-DG
Einheitspreis
0.59
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