Hersteller Produktnummer:
STD8N65M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD8N65M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2230 Stück Neu Original Auf Lager
12881013
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STD8N65M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
690 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
STD8N65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-10878-1
497-10878-2
497-10878-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK11P65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
485
TEILNUMMER
TK11P65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.74
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