Hersteller Produktnummer:
APT18M80B
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT18M80B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
13254232
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APT18M80B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3760 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT18M80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFH16N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
295
TEILNUMMER
IXFH16N80P-DG
Einheitspreis
4.52
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