PDTC123ET,215
Hersteller Produktnummer:

PDTC123ET,215

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTC123ET,215-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23

Inventar:

20221 Stück Neu Original Auf Lager
12947681
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PDTC123ET,215 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
PDTC123

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
15,000
Andere Namen
NEXNXPPDTC123ET,215
2156-PDTC123ET,215

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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