Hersteller Produktnummer:
2N7000RLRMG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N7000RLRMG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12836033
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2N7000RLRMG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Basis-Produktnummer
2N7000
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2156-2N7000RLRMG-ONTB
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N7000BU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
38857
TEILNUMMER
2N7000BU-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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Teilenummer
2N7000TA
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0
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2N7000TA-DG
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