Hersteller Produktnummer:
2SB817C-1E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB817C-1E-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventar:
12837070
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2SB817C-1E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Leistung - Max
120 W
Frequenz - Übergang
10MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P-3L
Basis-Produktnummer
2SB817
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FJA4210OTU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
392
TEILNUMMER
FJA4210OTU-DG
Einheitspreis
1.81
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