2SJ656
Hersteller Produktnummer:

2SJ656

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2SJ656-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML

Inventar:

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12836930
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2SJ656 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220ML
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
2SJ656

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2SJ656
HTML-Datenblatt
2SJ656-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
869-1053

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXTP18P10T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
2485
TEILNUMMER
IXTP18P10T-DG
Einheitspreis
1.06
ERSATZART
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