3LP01M-TL-E
Hersteller Produktnummer:

3LP01M-TL-E

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

3LP01M-TL-E-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount MCP

Inventar:

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3LP01M-TL-E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.4Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7.5 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MCP
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
3LP01

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
3LP01M-TL-E
HTML-Datenblatt
3LP01M-TL-E-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-3LP01M-TL-E-ONTR
ONSONS3LP01M-TL-E

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RSC002P03T316
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
51619
TEILNUMMER
RSC002P03T316-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
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0
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0.03
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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