Hersteller Produktnummer:
FCMT299N60
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCMT299N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
Inventar:
2390 Stück Neu Original Auf Lager
12851108
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FCMT299N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1948 pF @ 380 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Power88
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
FCMT299
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1990-FCMT299N60TR
FCMT299N60DKR
FCMT299N60TR
2156-FCMT299N60
FCMT299N60CT
1990-FCMT299N60DKR
1990-FCMT299N60CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPL60R299CPAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPL60R299CPAUMA1-DG
Einheitspreis
1.29
ERSATZART
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Parametric Equivalent
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