Hersteller Produktnummer:
FCP650N80Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP650N80Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12847028
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FCP650N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
162W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FCP650N80Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCP400N80Z
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
850
TEILNUMMER
FCP400N80Z-DG
Einheitspreis
1.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTP10N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP10N60P-DG
Einheitspreis
2.26
ERSATZART
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