Hersteller Produktnummer:
FCP9N60N-F102
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP9N60N-F102-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
12837971
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FCP9N60N-F102 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCP9N60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FCP9N60N_F102-DG
2832-FCP9N60N-F102
2832-FCP9N60N-F102-488
FCP9N60N_F102
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOTF11S60L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOTF11S60L-DG
Einheitspreis
1.01
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