Hersteller Produktnummer:
FDFMA3N109
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDFMA3N109-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventar:
12848317
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FDFMA3N109 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
220 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer
6-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDFMA3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTLJF4156NT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
28406
TEILNUMMER
NTLJF4156NT1G-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
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