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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FJV3102RMTF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJV3102RMTF-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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FJV3102RMTF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
FJV310
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FJV3102RMTF
HTML-Datenblatt
FJV3102RMTF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FJV3102RMTF-DG
FJV3102RMTFTR
FJV3102RMTFDKR
FJV3102RMTFCT
2832-FJV3102RMTFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTC114YKAT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
14398
TEILNUMMER
DTC114YKAT146-DG
Einheitspreis
0.02
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DDTC114ECA-7-F-DG
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0.02
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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