FQD12P10TM
Hersteller Produktnummer:

FQD12P10TM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQD12P10TM-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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FQD12P10TM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQD12P10TM
HTML-Datenblatt
FQD12P10TM-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMP10H400SK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
83919
TEILNUMMER
DMP10H400SK3-13-DG
Einheitspreis
0.20
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