HUF76645P3
Hersteller Produktnummer:

HUF76645P3

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

HUF76645P3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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HUF76645P3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
HUF76

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HUF76645P3
HTML-Datenblatt
HUF76645P3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
400

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDP100N10
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2970
TEILNUMMER
FDP100N10-DG
Einheitspreis
1.72
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PSMN009-100P,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
291
TEILNUMMER
PSMN009-100P,127-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
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0.73
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certification_02
certification_03
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cr
certification_015
certification_08
esd
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