Hersteller Produktnummer:
NDD02N40-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDD02N40-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12858577
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NDD02N40-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5Ohm @ 220mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
121 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NDD02
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
NDD02N40-1G-DG
NDD02N40-1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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