Hersteller Produktnummer:
NDF11N50ZH
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDF11N50ZH-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220-2 Full Pack
Inventar:
12840623
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NDF11N50ZH Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1645 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-2 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
NDF11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
NDF11N50ZHOS
NDF11N50ZH-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFIB7N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
813
TEILNUMMER
IRFIB7N50APBF-DG
Einheitspreis
1.31
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