NSV9435T1G
Hersteller Produktnummer:

NSV9435T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSV9435T1G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30 V 3 A 110 MHz 720 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Inventar:

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12857157
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NSV9435T1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
125 @ 800mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
550mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
110 MHz
Leistung - Max
720 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223 (TO-261)
Basis-Produktnummer
NSV9435

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NSV9435T1G
HTML-Datenblatt
NSV9435T1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2832-NSV9435T1GTR
488-NSV9435T1GCT
488-NSV9435T1GDKR
NSV9435T1G-DG
488-NSV9435T1GTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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