Hersteller Produktnummer:
NVMD6P02R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMD6P02R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12842275
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NVMD6P02R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700pF @ 16V
Leistung - Max
750mW
Betriebstemperatur
-
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NVMD6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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