PJW4N06A_R2_00001
Hersteller Produktnummer:

PJW4N06A_R2_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJW4N06A_R2_00001-DG

Beschreibung:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 4A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventar:

5940 Stück Neu Original Auf Lager
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PJW4N06A_R2_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
509 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
PJW4N06A

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PJW4N06A

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
3757-PJW4N06A_R2_00001CT
3757-PJW4N06A_R2_00001TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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