EMH3FHAT2R
Hersteller Produktnummer:

EMH3FHAT2R

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

EMH3FHAT2R-DG

Beschreibung:

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventar:

8645 Stück Neu Original Auf Lager
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EMH3FHAT2R Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMH3FHAT2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
EMH3FHA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-EMH3FHAT2RCT
846-EMH3FHAT2RTR
846-EMH3FHAT2RDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN4990FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN4990FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PEMD6,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
PEMD6,115-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
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Teilenummer
RN1910FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
4750
TEILNUMMER
RN1910FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
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cr
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