Hersteller Produktnummer:
HS8K11TB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
HS8K11TB-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Inventar:
1372 Stück Neu Original Auf Lager
13524843
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HS8K11TB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500pF @ 15V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
HSML3030L10
Basis-Produktnummer
HS8K11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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