Hersteller Produktnummer:
R6061YNXC7G
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6061YNXC7G-DG
Beschreibung:
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
13238773
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R6061YNXC7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
846-R6061YNXC7G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI-Zertifizierung
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