Hersteller Produktnummer:
US6J12TCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
US6J12TCR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13525978
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US6J12TCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 6V
Leistung - Max
910mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT6
Basis-Produktnummer
US6J12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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