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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRF530
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
IRF530-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
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IRF530 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
458 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF5
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-2780-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF530PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
9188
TEILNUMMER
IRF530PBF-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
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IRF530NPBF
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IRF530NPBF-DG
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