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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MJE802
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
MJE802-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole SOT-32
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12877388
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MJE802 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-32
Basis-Produktnummer
MJE802
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MJE802
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1026-MJE802
497-2549-5
497-2549-5-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BD679AS
HERSTELLER
onsemi
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10094
TEILNUMMER
BD679AS-DG
Einheitspreis
0.23
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