STB12NM60N
Hersteller Produktnummer:

STB12NM60N

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB12NM60N-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

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12870822
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STB12NM60N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB12N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
STB12NM60N-DG
1805-STB12NM60NCT
497-7931-6
-497-7931-2
-497-7931-1
497-7931-2
1805-STB12NM60NTR
-497-7931-6
497-7931-1
1805-STB12NM60NDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
R6011ENJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
R6011ENJTL-DG
Einheitspreis
1.56
ERSATZART
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Teilenummer
FCB11N60TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
135
TEILNUMMER
FCB11N60TM-DG
Einheitspreis
1.43
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
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