Hersteller Produktnummer:
STW58N65DM2AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW58N65DM2AG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12870895
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STW58N65DM2AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ DM2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-16137-5
-1138-STW58N65DM2AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK39N60X,S1F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
TK39N60X,S1F-DG
Einheitspreis
3.43
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Parametric Equivalent
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