Hersteller Produktnummer:
STB6NK60Z-1
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB6NK60Z-1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12880459
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STB6NK60Z-1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
905 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STB6NK60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-5955-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQI8N60CTU
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6985
TEILNUMMER
FQI8N60CTU-DG
Einheitspreis
1.12
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ERSATZART
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Teilenummer
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Fairchild Semiconductor
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TEILNUMMER
FQI7N60TU-DG
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