Hersteller Produktnummer:
HN3C10FUTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN3C10FUTE85LF-DG
Beschreibung:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
101 Stück Neu Original Auf Lager
12890009
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HN3C10FUTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
7GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gewinnen
11.5dB
Leistung - Max
200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN3C10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BFS483H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
48371
TEILNUMMER
BFS483H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
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