Hersteller Produktnummer:
SI5482DU-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5482DU-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventar:
12914359
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Menge
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SI5482DU-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket / Koffer
PowerPAK® ChipFET™ Single
Basis-Produktnummer
SI5482
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI5418DU-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1882
TEILNUMMER
SI5418DU-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.45
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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