FDMS86163P

Hersteller Produktnummer:

FDMS86163P

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMS86163P-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

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12848315

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FDMS86163P Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.9A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

4085 pF @ 50 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-PQFN (5x6)

Paket / Koffer

8-PowerTDFN

Basis-Produktnummer

FDMS86163

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

FDMS86163PDKR

FDMS86163PTR

FDMS86163PCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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