Hersteller Produktnummer:
FQN1N50CTA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQN1N50CTA-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
3302 Stück Neu Original Auf Lager
12846565
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FQN1N50CTA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
380mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
195 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
FQN1N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STQ2HNK60ZR-AP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
9835
TEILNUMMER
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
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