Hersteller Produktnummer:
STW11NB80
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW11NB80-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12873821
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STW11NB80 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW11N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-2789-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFR20N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFR20N80P-DG
Einheitspreis
7.52
ERSATZART
Similar
Teilenummer
SPW11N80C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2520
TEILNUMMER
SPW11N80C3FKSA1-DG
Einheitspreis
1.49
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STFU15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
STS5N15F3
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
STF26N60M2
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
